微电子学杂志社
首页 > 最新目录
 
/ / /
 

《微电子学》2018年04期

 
目录
电路与系统设计
一种特殊数字滤波器的优化结构张幸幸;陆继承;李夏禹;俞军;429-432
一种应用于低中频接收机的复数滤波器葛彬杰;李琰;俞航;冯晓星;433-436+442
一种10位160 kS/s的循环型模数转换器唐雨晴;曾华林;谢亮;金湘亮;437-442
一种新型电压电流混合加权12位DAC刘虹宏;陈隆章;高炜祺;万辉;443-447
一种可补偿高频衰减的差分时钟驱动电路郭玮;王小波;于冬;448-451+457
一种地端关断差分驱动CMOS射频整流器李兴旺;韦保林;包蕾;韦雪明;徐卫林;段吉海;452-457
一种恒跨导高增益轨到轨运算放大器唐俊龙;黄思齐;罗磊;涂士琦;肖仕勋;龚磊;刘远治;谢海情;458-462
一种高线性度宽带射频放大器王国强;王小峰;蒲颜;刘成鹏;潘少俊;463-466+470
应用于SAR ADC的高能效电容开关转换方案曾华林;唐雨晴;谢亮;金湘亮;467-470
基于0.18 μm BiCMOS工艺的2 GS/s采保放大器张翼;刘中华;郭宇锋;孟桥;李晓鹏;张有涛;471-474+479
一种多模LDPC译码器的可重构结构唐中剑;王泽芳;475-479
用于流水线ADC的全差分参考电压电路任大为;贾华宇;杜知微;李灯熬;李雪;480-484
一种千万门FPGA芯片中DSP硬核的设计李正杰;张英;485-490
一种应用于CHPAV2.0的高速EoC Tuner芯片廖友春;张钊锋;程帅;黄兆磊;李娟;491-495模型与算法
全部耗尽SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型研究徐小波;李瑞雪;496-499+514
一种用于NAND闪存的奇偶位线块编程补偿算法门顶顶;曹华敏;王颀;霍宗亮;500-503动态综述
智能传感器技术发展综述殷毅;504-507+519
SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势马羽;王志宽;崔伟;508-514半导体器件与工艺
N阱掺杂对PMOS管的SET效应影响研究赵强;徐骅;刘畅咏;韩波;彭春雨;王静;吴秀龙;515-519
多晶硅发射极NPN管的辐射效应研究陈光炳;张培健;谭开洲;520-523+528
一种用于片上静电防护的新型闩锁免疫可控硅仝壮;李浩亮;刘志伟;刘俊杰;尹沙楠;524-528
深槽对0.35 μm CMOS管抗闩锁性能的影响研究冯霞;张霞;529-532
a-IGZO/IZO厚度比对TFT特性的影响研究潘东;向超;殷波;李勇男;汤猛;钟传杰;533-536+547
溶液法制备IGZO/IZO薄膜的电学特性研究殷波;李勇男;潘东;汤猛;向超;钟传杰;537-541+554产品与可靠性
温度和利用率对CPU性能的影响研究郭长荣;余永涛;罗军;王小强;罗宏伟;李国元;542-547
超大规模FPGA的单粒子效应脉冲激光测试方法刘宇翔;张战刚;杨凯歌;雷志锋;黄云;恩云飞;548-554
随机振动载荷下板级焊点失效模式分析李剑峰;肖明清;董佳岩;盛增津;陈垚君;555-559+564
集成电路氧化层失效定位技术研究陈选龙;杨妙林;李洁森;刘丽媛;黄文锋;560-564
欢迎订阅2018年《微电子学》杂志565
点击在线投稿

 
 
 

(c)2008-2018 学术规划网

 

本站产品最终解释权归NDHX.NET

 

免责声明:本站仅限于整理分享学术资源信息及投稿咨询参考;如需直投稿件请联系杂志社;另涉及版权问题,请及时告知!